Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Поиск репетиторов
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ИНДИЯ АНТИМОНИД

ИНДИЯ АНТИМОНИД InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространств. группа F43m): т. пл. 525,2 °С; плотн. 5,775 г/см3, жидкого - 6,430 г/см3 (550 °С); С0p 49,56 Дж/(моль.К); DH0пл 65,35 кДж/моль, DH0обр - 30,66 кДж/моль; S0298 87,44 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 4,7.10-6 К-1; теплопроводность 30-40 Вт/(м.К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (- 196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,013m0, дырок тр = 0,42m0 (m0 - масса своб. электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1.106 см2/(В.с), дырок 9,1.103 см2/(В.с). Индия антимонид устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной к-ты, HNO3 и соляной к-ты, HNO3, винной и молочной к-т, Н2О2 и винной к-ты, Н2О2 и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5HNO3 : 3СН3СООН : 3HF. Получают индия антимонид сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или Н2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10-9 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10-4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). Индия антимонид - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности.
===
Исп. литература для статьи «ИНДИЯ АНТИМОНИД»: Полупроводниковые соединения AIIIBV, под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ., М., 1967, с. 327-42, 476-83; Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 М. Г. Мильвидский.

Страница «ИНДИЯ АНТИМОНИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

___

     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн