Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ФОТОЛИТОГРАФИЯ

ФОТОЛИТОГРАФИЯ, способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Фотолитография обычно включает: 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки; 2) сушку фоторезиста при 90-110 0C для улучшения его адгезии к подложке; 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; осуществляется с помощью ртутных ламп (при контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе); 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения Путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) при 100-200 0C для увеличения его стойкости при травлении; б) травление участков своб. пов-сти травителями кислотного типа (напр., на основе HF, NH4F или CH3COOH) или сухими методами (напр., галогенсодержащей плазмой); 7) удаление маски р-рителями или выжиганием кислородной плазмой. Масштаб передачи рисунка фотошаблона обычно 1:1 или 5:1 и 10:1 (при проекц. способе экспонирования).

При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на разл. технол. слоях материала и при этом каждый послед. рисунок должен быть совмещен с предыду-щим.

Часто для придания фоторезистному покрытию специфич. св-в (повышение стойкости к травителям, уменьшение отражения излучения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные покрытия, в к-рых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогат. ф-ции. Двухслойное покрытие м. б. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хим. модификации пов-сти.

Разновидности фотолитографии: т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску; во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рисунок.

Осн. требования к фотолитографии: высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, к-рые определяются обычно св-вами фоторезистов, параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технол. помещений.

Вместе с др. видами микролитографии - электроно-, рен-тгено- и ионолитографией (соотв. экспонирование потоком электронов, рентгеновскими лучами и ионами легких элементов) - фотолитография является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др.

Лит.: M о r о У., Микролитография, пер. с англ., M., 1990. См. также лит. при ст. Планарная технология. Г.К. Селиванов.


     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн