Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Поиск репетиторов
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ

ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид Ga2O3-белые кристаллы. Наиб. устойчива р-модификация с моноклинной решеткой типа1094-26.jpgА12О3 (a = 1,223нм, b = 0,304 нм, с = = 0,508 нм,1094-27.jpg 103,7°, z = 4, пространств. группа С2/m); т. пл. 1725°С; плотн. 5,88 г/см3; С° 92,18 Дж/(моль*К);1094-28.jpg- 1090 кДж/моль,1094-29.jpg 519 кДж/моль,1094-30.jpg 574 кДж/моль; S°298 85,1 Дж/(моль*К);1094-31.jpg 10,2; выше 1200°С частично диссоциирует на Ga2O и О2; ур-ние температурной зависимости давления пара: 1§р(гПа) = 13,66 —

26010/Т (1530-1840 К). Полупроводник n-типа; ширина запрещенной зоны 4,6-4,7 эВ (27 °С). Не раств. в воде и орг. р-рителях. С минер. к-тами образует соли Ga, с р-рами щелочей - галлаты. После прокаливания выше 600 °С взаимод. только с расплавленными щелочами и гидросульфатами щелочных металлов. При спекании с оксидами или карбонатами др. металлов образует галлаты. Получают Ga2O3 прокаливанием Ga(NO3)3 или Ga(OH)3 при 200-250 °С, затем в течение 12 ч при 600 °С. Применяют его для получения галлиево-гадолиниевого граната и др. соединений Ga. Гемиоксид Ga2О-темно-коричневое, серое или черное в-во; т. пл. ок. 650°С, т. кип. ок. 725 °С; плотн. 4,77 г/см3 (20°С);1094-32.jpg твердого в-ва -356 кДж/моль; для газа Сop 48,2 Дж/(моль*К),1094-33.jpg - 85,9 кДж/моль; So298 284 Дж/(моль*К). Устойчив в сухом воздухе при 20 С, в отсутствие О2 и паров Н2О - до 600 °С. В интервале 700-1000 °С легко диспропорционирует на Ga и Ga2O3, в парах выше 1000°С не днспропорционирует. Ур-ние температурной зависимости давления пара над смесью Ga2O3 с Ga: 1gр(гПа) = 11,90- 13490/Т (1000-1100 К). Ga2O- сильный восстановитель, легко окисляется при нагр.; медленно взаимод. с разб. к-тами, энергично - с концентрированными. М. б. получен нагреванием Ga в атмосфере СО2 или паров Н2О (в присут. Н2), а также восстановлением Ga2O3 галлием с послед. сублимацией в вакууме. Gа2О - промежут. соед. при получении эпитаксиальных пленок GaAs и GaP с помощью хим. транспортных р-ций.

В парах при высоких т-рах наблюдался оксид GaO.

Лит. см. при ст. Галлий. П. И. Федоров.


===
Исп. литература для статьи «ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ»: нет данных

Страница «ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

Еще по теме:

     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн