Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ТЕЛЛУРИДЫ

ТЕЛЛУРИДЫ, соединения Те с менее элсктроотрицат. элементами, гл. обр. с металлами. По строению, составу и св-вам теллуриды являются аналогами др. халькогенидов - сульфидов и селенидов. В теллуридах s-элементов хим. связь ионно-ко-валентная, ковалентная составляющая хим. связи возрастает при переходе от Li к Cs и от Be к Ва. Щелочные металлы образуют теллуриды типа М2Теn, где n = 1 — 4. Теллуриды состава М2Те являются солями теллуристоводородной к-ты Н2Те, бесцв., кристаллизуются в решетке типа антифлюорита CaF2. Гигроскопичны, при доступе воздуха разлагаются с выделением Те, раств. в воде, р-ры устойчивы только в отсутствие О2. Полителлуриды М2Теn-серо-черные кристаллы с металлич. блеском; разлагаются в присут. О2 и влаги.

Щел.-зем. металлы образуют с Те соед. типа МТе. Это бесцв. кристаллы с кубич. решеткой типа NaCl, кроме ВеТе с кубич. структурой типа сфалерита и MgTe со структурой типа вюрцита. На воздухе окрашиваются в красноватый цвет, водой и к-тами разлагаются с выделением Те.

Теллуриды p-элементов более разнообразны по составу и характеризуются преим. ковалентным характером хим. связи. Для элементов III гр. известны соед. АIIIТе,4103-6.jpg, Тl2Те.

При переходе от Ga к Тl устойчивость соед. АIIIТе и4103-7.jpg уменьшается-понижаются т-ры плавления и меняется характер плавления от конгруэнтного (теллуриды галлия и In) до инконгруэнтного (теллурид таллия). Тl2Те плавится конгруэнтно. В области составов АIIIIII Те наблюдается расслаивание в жидкой фазе. Аl2Те3 во влажном воздухе быстро гидро-лизуется с выделением Н2Те; теллуриды Ga, In и Tl на воздухе устойчивы. В структуре 4103-8.jpg атомы Те расположены в кубич. или гексагон. упаковке, атомы металла занимают статистически только 2/3 позиций катионов. Остающиеся вакансии склонны к упорядочиванию и обусловливают аномалии в физ. св-вах теллуридов, напр. низкую теплопроводность, высокие коэф. диффузии и р-римость примесей.

Теллуриды германия, Sn, Pb состава МТе кристаллизуются в структуре типа NaCl.

Теллурид кремния (плавится инконгруэнтно) имеет состав Si2Te3 (см. табл.); при нагр. в вакууме разлагается с образованием твердого Si и газообразных SiTe и Те2. Кубич. модификация теллуридов олова и Ge переходит в ромбоэдрическую соотв. при 15-70 К и 663-773 К в зависимости от состава.

4103-9.jpg

p-Элементы Va гр. образуют теллуриды состава4103-10.jpg и AVTe.

Структура теллурида мышьяка построена из блоков, состоящих из шести рядов атомов теллурида и четырех рядов атомов As, связанных между собой слабой связью типа ван-дер-ваальсовой. Структуры теллуридов сурьмы и Bi слоистые и различаются между собой числом и порядком чередования пятислойных пакетов из атомов металла и Те и двухслойных пакетов из атомов металла. Теллуриды мышьяка, Sb, Bi при нагр. в вакууме разлагаются с образованием газообразных М2, Те2, МТе, М2Те2 .

Теллуриды d- и f-элементов менее разнообразны по составу. Для большинства из них характерно образование соед. типа МТе (структуры типа NiAs, NaCl) и UTe2 (структуры типа CdI2, MoS2, FeS2 и т.д.).

Для теллуридов цинка, Cd, Hg характерно явление политипии и в зависимости от условий они кристаллизуются в кубич. структуре типа сфалерита или гексагональной типа вюрци-та. Наим. число теллуридов характерно для переходных металлов с относительно устойчивыми d5- и d10-конфигурациями атомных оболочек. Напр., Сr, Мn и Re образуют не более двух теллуридов, a Ag, Аu, Zn, Cd, Hg-no одному (Ag2Te, AuTe2, CdTe и т.д.). По мере увеличения содержания Те характер хим. связи изменяется от ионной и металлической к ковалентной, образуются слоистые псевдомолекулярные структуры. Теллуриды переходных металлов характеризуются значит. областями гомогенности. При увеличении содержания Те в результате образования металлич. вакансий может происходить непрерывный переход от структуры типа NiAs к структуре типа CdI2, напр.: переходы TiTe-TiTe2, PdTe-PdTe2.

Теллуриды d- и f-элементов-тугоплавкие соед.; напр., т. пл. для теллуридов РЗЭ достигает 1300-2000 °С. С повышением содержания Те в теллуридах их устойчивость понижается. Во влажном воздухе теллуриды d-и f-элементов постепенно разлагаются, в воде и к-тах-не-окислителях не раств., при нагревании раств. в к-тах-окис-лителях. В атмосфере О2 окисляются с образованием окси-теллуридов, напр.4103-11.jpgО2Те, где M-Ln, а при нагревании дают оксиды металлов и ТеО2. При нагревании в вакууме теллуриды d- и f-элементов разлагаются с образованием соответствующих металлов.

Получают теллуриды след. способами: 1) непосредств. сплавлением компонентов в вакуумир. контейнерах; 2) взаимод. паров Те при нагр. с твердым или жидким металлом в инертной атмосфере или в присут. Н2; 3) осаждением теллуридов теллуристым водородом или (NH4)2Te из р-ров солей соответствующих металлов; 4) восстановлением теллуритов или теллуратов водородом, NH3, N2H4; 5) электрохим. способом, когда в качестве катода используют Те, а анода-металл, теллурид к-рого нужно получить. Монокристаллы теллуридов выращивают направленной кристаллизацией из расплава по методу Чохральского, Бриджмена, зонной плавкой, осаждением из пара с помощью химических транспортных р-ций, в частности с использованием металлоорганических соединений.

теллуриды металлов I, II, IV, V или VIII гр. периодич. системы элементов в природе встречаются в виде минералов: гессита Ag2Te, колорадоита HgTe, сильванита AgAuTe4, алтаита РbТе, теллуровисмутита Bi2Te3 и др.

Большинство теллуридов-полупроводники. С увеличением атомной массы катиона ширина запрещенной зоны уменьшается, напр. от 3,0 эВ для ВеТе до 0,02 эВ для HgTe. Теллуриды используют как материалы для термоэлектрич. преобразователей в нагревающих и охлаждающих устройствах (теллуриды меди, Ag, Pb, Sn, Ge, Sb, Bi и т. д.). Созданы термогенераторы, использующие солнечное тепло, тепло ядерных реакторов с мощностью до десятков и сотен кВт. С помощью интеркалирования ионов щелочных и щел.-зем. металлов в теллуриды со слоистой структурой (напр., Ga2Te3, In2Te3) создают новые классы аккумуляторов солнечной и злектрич. энергии. В акустооптике (см. Акустические материалы) теллуриды используют как лазерные материалы, материалы для фотоприемников (теллуриды цинка, Cd, Hg, Pb и т.д.), а в акустоэлектронике-для создания усилителей, тензодатчиков и т.д. Высокая чувствительность теллуридов к разл. излучениям (рентгеновскому, радиоактивному, ИК и т.д.) обусловливает их применение как детекторов для измерения напряженности магн. полей и т.д. Теллуриды можно использовать для регистрации и хранения оптич. информации в голографии и др. См. также Кадмия теллурий, Мышьяка халькогениды, Олова халькогениды, Ртути халькогениды, Цинка халькогениды и др.

Лит.: Чижиков Д. М., Счастливый В. П., Теллур и теллуриды, М., 1966; Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе, М., 1975; Абрикосов Н. X., Шелимова Л. Е., Полупроводниковые материалы на основе соединений АIVВVI, М., 1975; Янаки А. А., Теллуриды переходных металлов, М., 1990; Cordfunke E. H. P., Cluistra R., Van Milten-burg J. C, "J. Chem. Thermodyn.", 1985, v. 17, p. 1079-89. В.П. Зломанов.


     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн