Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Поиск репетиторов
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ИНДИЯ АРСЕНИД

ИНДИЯ АРСЕНИД InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,605886 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см3, жидкого 5,850 г/см3 (970 °С); С0p 49,32 Дж/(моль.К); DH0пл 77,2 кДж/моль, DH0обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 5,19.10-6 К-1; теплопроводность 122 Вт/(м.К). Полупроводник: e 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,22m0, дырок mр = 0,33m0 (m0 - масса своб. электрона); подвижность электронов 3,4.104 см2/(В.с) при 300 К и 8,2.104 см2/(В.с) при 77 К, подвижность дырок 460 см2/(В.с) при 300 К и 690 см2/(В.с) при 77 К. Индия арсенид устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. соляной и серной к-тами, водными р-рами сильных окислителей (напр., Н2О2), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной к-т, а также азотной и соляной к-т с Н2О2. Эти смеси используют для травления пов-сти кристаллов индия арсенида с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают индия арсенид в кварцевых ампулах взаимод. расплава In с парами As, давление к-рых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N2) при давлении 40-50 кПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InAs в расплаве In при 650-700 °С; осаждением из газовой фазы: пары AsCl3 или НС1 пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону р-ции и взаимод. с парами AsCl3 или AsH3 при 700 °С, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников n- или р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. Индия арсенид - полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. см. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.


===
Исп. литература для статьи «ИНДИЯ АРСЕНИД»: нет данных

Страница «ИНДИЯ АРСЕНИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

___

     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн