Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


РТУТИ ХАЛЬКОГЕНИДЫ

РТУТИ ХАЛЬКОГЕНИДЫ, соед. Hg с S, Se, Те общей ф-лы HgX (табл. 1). Сульфид HgS существует в двух модификациях-a (киноварь) и b (метациннабарит); т-ра перехода a4056-35.jpgb 345 °С, АН перехода 14,6 кДж/моль. b-HgS, HgSe, HgTe кристаллизуются в решетке типа сфалерита, при давлении 1,5-2,0 ГПа HgSe и HgTe имеют кристаллич. решетку типа a-HgS.

Ртути халькогениды-нестехиометрич. соединения. Область гомогенности HgSe 49,99-50,00 ат.% Hg при 280 °С (по др. данным наблюдается отклонение от стехиометрии в сторону большего содержания Hg). Область гомогенности HgTe 49,40-49,95 ат.% Hg при 400 °С, 49,40-50,009 ат.% Hg при 353 °С. Для ртути халькогенидов преобладающие типы дефектов - вакансии Hg, халькогенов, атомы Hg в межузельном пространстве.

4056-36.jpg

Теллурид-полупроводник р- и n-типа, HgSe, HgS-n-типа. Ртути халькогениды обладают уникальными физ. св-вами. HgTe имеет практически нулевую запрещенную зону (величина перекрывания валентной зоны и зоны проводимости 0,001 эВ, для HgSe эта величина 0,07 эВ). Для a-HgS ширина запрещенной зоны 2,0 эВ.

Ртути халькогениды практически не раств. в воде, орг. р-рителях, разб. к-тах, разлагаются царской водкой. HgS реагирует с конц. р-рами сульфидов щелочных металлов с образованием тиосолей М2HgS2, что используют для извлечения Hg из сульфидных руд.

При натр. в вакууме ртути халькогениды легко испаряются, диссоциируя на Hg и X, доля молекул HgX в паре ок. 1·10-4; ур-ние температурной зависимости давления пара HgX: lgp (мм рт.ст.) = -А/Т+ В (табл. 2)

4056-37.jpg

При нагр. на воздухе ртути халькогениды реагируют с О2; по р-ции HgS + О2 : Hg + SO2 в пром-сти получают Hg из киновари. С галогенидами HgHal2 ртути халькогениды образуют соед. Hg3X2Hal2, с халькогенидами Al, Ga, In-полупроводниковые соед. типа HgM2X4. На основе ртути халькогенидов получают твердые р-ры типа Hg1-xМxX, HgTe1-xXx, HgSe1-xXx, где M-Zn, Cd, Мn и др., x-содержание X в атомных долях. Многие из этих р-ров - бесщелевые полупроводники, применяют Нg1-xСdxTе.

Ртути халькогениды получают взаимод. Hg и халькогена при нагр. в запаянных вакуумир. кварцевых ампулах, монокристаллы -сублимацией или выращиванием из нестехиометрич. расплавов HgX в ртути, a-HgS - растиранием Hg с S, a-HgS и b-HgS осаждением из водных р-ров солей Hg.

В природе киноварь - осн. минерал ртути; известны и редкие минералы - метациннабарит, тиманит HgSe, колорадоит HgTe.

Прир. киноварь-осн. пром. сырье в произ-ве Hg. Сульфид HgS-материал для фоторезисторов, катализатор, пигмент, компонент светосоставов на основе CdS; HgSe - материал для фоторезисторов, датчиков для измерения магн. полей; HgTe-компонент материалов для приемников ИК излучения.

Ртути халькогениды токсичны, особенно их аэрозоли и р-ры.

Лит.: Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе, М., 1975, с. 48-82. И. Н. Один.


     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн