где N - число атомов или ионов в 1 см3, e - заряд электрона, m0- масса покоя электрона, с - скорость света в вакууме,
-средний квадрат расстояния i-го электрона от атомного ядра, k - число электронов в атоме или ионе. Сумму 
можно заменить на 
где р- число электронов внеш. оболочки (дающих наиб. вклад в эту сумму), 
-средний квадрат ее радиуса. По известным величинам cd и р можно оценивать размеры атомов или ионов. В металлах и полупроводниках под действием внеш. магн. поля возникает орбитальное движение свободных электронов, что вызывает небольшой добавочный диамагнетизм, наз. диамагнетизмом Ландау. При т-рах, близких к абс. нулю, может наблюдаться осцилляционная зависимость cd от H-1 , где H - напряженность магн. поля (эффект Де Хааза - ван Альфвена). Этот эффект используют для определения эффективной массы носителей заряда и формы пов-сти Ферми для полупроводников и металлов. В кристаллах низкой симметрии cd м. б. анизотропной. К собственно диамагнетикам относятся все инертные газы, Н2, N2, кристаллич. Ge, Si, полупроводниковые соед. типа АШВV (напр., GaAs, InSb), AIIBVI (напр., ZnTe, CdS), нек-рые металлы (напр., Zn, Cu, Ag, Au), многие орг. в-ва (ароматич. и др.). Аномально большую по абс. величине cd = 1/4p имеют сверхпроводники. Однако их диамагнетизм обусловлен не микроскопич, внутриатомными токами, а макроскопич. поверхностными. Лит. см. при ст. Магнитная восприимчивость. Д. Г. Андрианов.
Читайте еще
