Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Поиск репетиторов
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


БОРА КАРБИДЫ

БОРА КАРБИДЫ. Бор образует ряд карбидов. Надежно установлены составы двух из них - В4С (или В12С3) и В13С2.

Карбид В4С - черные кристаллы с ромбоэдрич. решеткой (а= 0,5598 нм, с - 1,2120 нм, z = 3, пространств. группа R3т); разлагается выше 2450°С; плотн. 2,52 г/см3; С°р53,09 Дж/(моль*К);1058-19.jpg 105 кДж/моль,1058-20.jpg — 62 кДж/моль; S298 27,11 Дж/(моль*К); давление пара над твердым в-вом 0,091 Па (300 К), 8,2 Па (2522 К); теплопроводность 121,4 Вт/(м*К) при 300 К и 62,8 Вт/(м*К) при 970 К; температурный коэф. линейного расширения 4,5*10-6 К-1 (300-1100 К); микротвердость 49,1 ГПа; модуль упругости 450 ГПа;1058-21.jpg0,001-0,1 Ом м ( ~ 20°С). Полупроводник р-типа; ширина запрещенной зоны 1,64 эВ (выше 1870 К). Ниже 1,28 К переходит в сверхпроводящее состояние. Для В4С характерна область гомогенности в пределах составов В4С-В65С.

Карбид В4С - одно из наиб. устойчивых соединений. Окисляется на воздухе выше 600 °С. Не раств. в воде и минеральных к-тах и их смесях, разлагается кипящими р-рами щелочей. Не взаимод. с S, Р и N2 до ~ 1250°С, реагирует с С12 ок. 1000°С с образованием ВС13 и С. Получают В4С гл. обр. восстановлением В2О3 углеродом (сажей) при 1900-2150°С. Он также образуется по перитектич. р-ции в системе бор—углерод. Компактные изделия из бора карбидов получают горячим прессованием (2000-2450°С, 20-35 МПа).

Применяют В4С для изготовления абразивных и шлифовальных материалов, в кач-ве полупроводников или диэлектриков; он содержится в наплавочных составах для повышения стойкости металлич. пов-стей к мех. воздействию. Карбид, обогащенный изотопом 10В, - поглотитель нейтронов в ядерных реакторах.

Карбид В13С2-черные кристаллы с ромбоэдрич. решеткой (а = 0,5630 нм, с = 1,2190 нм, z = 3, пространств. группа RЗm); т. пл. 2460°С; плотн. 2,46 г/см3; температурный коэф. линейного расширения 5,5*10-6 К-1 (300-1100 К); микротвердость 55,9 ГПа. Полупроводник и-типа.


===
Исп. литература для статьи «БОРА КАРБИДЫ»: Косолапова Т. Я., Карбиды, М., 1968; Boron and refractory borides, ed. by V.I. Matkovich, v. 1, B.-N.Y., 1977, p. 310-30. A.H. Пилянкевич.

Страница «БОРА КАРБИДЫ» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

Еще по теме:

     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн