Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, получение твердых в-в р-циями с участием газообразных соединений. По механизму р-ций подразделяется на 4 вида: 1) термич. разложение или диспропорционирование газообразных соед., напр. SiH45099-1.jpgSi, ZrI45099-2.jpgZr, Ni(CO)45099-3.jpg Ni, A1F5099-4.jpg Al, MRn5099-5.jpg M, где M - металл, R - орг. радикал; 2) взаимод. двух или более газообразных в-в, напр. WF6 + Н25099-6.jpg W, SiCl4 + NH35099-7.jpgSi3N4, UF6 + Н2 + O25099-8.jpgUO2; 3) пиролиз газообразных углеводородов (отличается многостадийностью и разветвленностью); 4) взаимод. газообразных в-в с твердыми (контактное осаждение), напр.: WF6 + Si5099-9.jpgW. Наиб. многочисленны р-ции второго вида. Р-ции поглощения газообразных оксидов или галогенидов твердыми в-вами (типа СаО + СО25099-10.jpgСаСО3, NaF + HF5099-11.jpgNaHF2) не относят к хим. осаждению из газовой фазы.
Процессы химического осаждения проводят при обычном или пониженном давлении. Для активирования используют один из трех осн. методов: термический, фотохим. (включая лазерный) и плазменный.
Как правило, химическое осаждение проводят на неподвижной подложке. Однако известны конструкции аппаратов для химического осаждения, в к-рых подложки перемещаются вдоль реакционной зоны, качаются или вращаются в ней, а также находятся во взвешенном состоянии, Это позволяет получать плоские, цилиндрич. и сферич. покрытия, ленты, конусы, нити, стержни и тела произвольной формы, а в сочетании с фотолитографией - сложные микроструктуры (см. Планарная технология). Химическое осаждение может протекать в объеме и использоваться для получения порошков (подложками служат зародыши твердых продуктов).
С помощью химического осаждения получают ок. 200 в-в, среди к-рых простые в-ва и неорг. соед., а также неск. орг. соединений (напр., разновидности полиэтилена), сплавы металлов, аморфные "сплавы" Si с Н, F, C1 и др.
Осн. области применения химического осаждения: нанесение функцией, слоев проводников, полупроводников и диэлектриков (W, Si, SiO2, Si3N4 и др.) при произ-ве электронных приборов и схем; нанесение разнообразных защитных и декоративных покрытий на детали машин и аппаратов, на инструменты, нанесение защитных и отражающих оптич. покрытий; изготовление деталей и изделий из тугоплавких в-в, напр. сопел из графита или W для ракетных двигателей; выращивание заготовок для кварцевых оптич. волокон, в т. ч. с переменным по диаметру показателем преломления; произ-во ядерного топлива (микротвэлов); произ-во объемных монокристаллов и "усов" для композиционных материалов; произ-во высокопористых ультрадисперсных порошков (напр., компонентов керамики, наполнителей, адсорбентов). Химическое осаждение может быть одной из стадий химических транспортных реакций.

Лит.: Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений, М., 1981; Королев Ю. М., Столяров В. И., Восстановление фторидов тугоплавких металлов водородом, М., 1981; Сыркин В. Г., Газофазная металлизация через карбонилы, М., 1984; Емяшев А. В., Газофазная металлургия тугоплавких соединений, М., 1987; Раков Э. Г., Тесленко В. В., Химия в микроэлектронике. (Химическое осаждение из газовой фазы), М., 1988; Тесл енко В. В., "Успехи химии", 1990, т. 59, в. 2, с. 177-96.

Э. Г. Раков, В. В. Тесленко.


     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн