Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Поиск репетиторов
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ГАЛЛИЯ АРСЕНИД

ГАЛЛИЯ АРСЕНИД GaAs, темно-серые с фиолетовым оттенком и металлич. блеском кристаллы, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,565321 нм); т. пл. 1238°С; плота. 5,317 г/м3 (20 °С), жидкого 6,00 г/см3 (1238 °С); С° 46,9 Дж/(моль*К);1094-18.jpg 105,6 кДж/моль,1094-19.jpg -74,1 кДж/моль; So298 64,27 Дж/(моль*К); температурный коэф. объемного расширения 5,93-10-6 К-1 (0-252°C; теплопроводность 150Вт/(м*К) при 27 °С;1094-20.jpg 13,2. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 1,428 эВ, подвижность электронов 8500см2/(В*с), дырок 400 см2/(В*с); эффективная масса электронов проводимости те = 0,065m0, дырок mp = 0,5m0 (m0-масса свободного электрона).

Устойчив к кислороду воздуха и парам воды до ~600°С, медленно реагирует с H2SO4 и соляной к-той с выделением AsH3, под действием HNO3 пассивируется, р-рами щелочей разлагается.

Получают GaAs сплавлением Ga с As под давлением паров As (ок. 100 кПа). Монокристаллы выращивают методами зонной плавки, направленной кристаллизации под давлением паров As или вытягиванием по Чохральскому из-под слоя флюса В2О3 под давлением Аг (150 кПа). Эпитаксиальные пленки, а также мелкокристаллич. GaAs получают путем хим. транспортных р-ций с Н2 в кач-ве газа-носителя, напр.:

4GaAs + 4НС11094-21.jpg 2GaCl + 4As + 2Н2(900 -> 750 °С)

при этом GaAs получают в горячей зоне (900 °С) по р-ции:

2Ga + 2AsCl3 + 3H2 -> 2GaAs + 6HC1

Используют также процесс Ga(C2H5)3 + AsH3 -> GaAs + 3C2H6 (ок. 700 °C.

Пленки GaAs получают также из его р-ров в расплавленном Ga. Для легирования монокристаллов и пленок используют добавки Те. Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge. Монокристаллы с высоким р (108-109 Ом*см) получают с использованием добавок Fe или Сr.

Галлия арсенид-один из осн. полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптич. фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др.


===
Исп. литература для статьи «ГАЛЛИЯ АРСЕНИД»: Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Касаманлы и Д. Н. Наследова, М., 1973; М ильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На примере арсенида галлия), М., 1974. П. И. Федоров.

Страница «ГАЛЛИЯ АРСЕНИД» подготовлена по материалам химической энциклопедии.

Еще по теме:

     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн