Неорганическая
Органическая
Коллоидная
Биологическая
Биохимия
Токсикологическая
Экологическая
Химическая энциклопедия
Советская энциклопедия
Справочник по веществам
Гетероциклы
Теплотехника
Углеводы
Квантовая химия
Моделирование ХТС
Номенклатура
Таблица Менделеева
Неорганические реакции
Органические реакции
Молярные массы
Форматирование формул
Редактор формул
Уравнивание реакций
Электронное строение атомов
Игра «Таблица Менделеева»
Термодинамические свойства
Конвертер величин
Гальванопара
Форум
Лекарства
Фармацевтика
Термины биохимии
Коды загрязняющих веществ
Стандартизация
Каталог предприятий


ИНДИЯ ОКСИДЫ

ИНДИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид In2О3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотн. 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотн. 7,3 г/см3. Т. пл. 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; т. кип. - 3300 °С; C°p 92 Дж/(моль.К); DH0пл 84 кДж/моль, DH0возг 272 кДж/моль, DH0обр — 926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль.К); ур-ние температурной зависимости давления пара: lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In2О3 не раств. в воде. При нагр. легко взаимод. с минер. к-тами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, напр. NaInO2. Получают In2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др. In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In2О - черное твердое в-во; т. пл. ~325°С; плотн. 6,99 г/см3; для газа DH0обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с к-тами реагирует с выделением Н2. М. б. получен (в смеси с In и In2О3) термич. разложением In22О4)3. Пары In2О образуются при нагр. смеси In с In2О3, ур-ние температурной зависимости давления пара: lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In2О3 гидроксид In(ОН)3 - бесцв. кристаллы с кубич. решеткой; плотн. 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и нек-рыми орг. к-тами. С разб. р-рами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. р-рами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на р-ры In(NO3)3, подкисленные уксусной к-той. Используют для получения In2О3 и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий. П. И. Федоров.


===
Исп. литература для статьи «ИНДИЯ ОКСИДЫ»: нет данных

Страница «ИНДИЯ ОКСИДЫ» подготовлена по материалам химической энциклопедии.


     © ХиМиК.ру




Реклама   Обратная связь   Дизайн